اگر چه در طراحی بسیاری از مدارهای قدرت از تقویت کننده‌های کلاس B و AB استفاده می‌شود که از بازده حرارتی نسبتاً خوبی بر خوردارند، ولی با این همه مقدار توان تلف شده در ترانزیستورهای خروجی می‌تواند باعث گرم شدن بیش از حد و رسیدن دما به حد غیر مجاز شود. حتی در مدارهایی که ظاهراً به عنوان مدار قدرت تلقی نمی‌شود، همچون مدارهای مجتمع قیاس بزرگ و متوسط (VLSI و MSI)، تراکم بسیار زیاد ترانزیستور‌هایی که هر یک به تنهایی توان زیادی تلف نمی‌کنند، باعث انباشته شدن بیش از حد گرما در تراشه می‌شود. در موارد مذکور لازم است برای سهولت تبادل حرارتی قطعه مورد نظر، با محیط تمهیداتی اندیشیده شود. در قطعات الکترونیکی مجزا از قبیل ترانزیستورهای قدرت این امر از طریق نصب قطعه بر روی یک گرماخور فلزی که معمولاً از جنس آلومینیوم می‌باشد و سطح زیادی جهت تبادل حرارتی با محیط اطراف ایجاد می‌کند صورت می‌پذیرد.